【摘 要】
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采用高温高压方法,在900K的温度条件下,成功合成出CoSb2.750 TexGe0.250-x（x=0.125,0.175,0.200）n型方钴矿化合物,并考察了不同的压力对其电输运性能的影响规律。室温下对样品
【机 构】
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吉林大学超硬材料国家重点实验室,北华大学物理学院
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采用高温高压方法,在900K的温度条件下,成功合成出CoSb2.750 TexGe0.250-x（x=0.125,0.175,0.200）n型方钴矿化合物,并考察了不同的压力对其电输运性能的影响规律。室温下对样品的电阻率（ρ）,Seebeck系数（S）进行了测试分析。电学性能测试表明,方钴矿CoSb2.750 TexGe0.250-x化合物的导电类型为n型,电阻率和Seebeck系数的绝对值随着压力的升高而增加,随着Te掺杂量的增加而降低。功率因子随合成压力增大而降低,随Te掺杂量的增加而升高。CoSb2
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