【摘 要】
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基于0.18μm 1.8 V CMOS标准工艺,设计了一个低压、高速、高稳定性、高电源抑制比的集成运算放大器芯片。设计中,采用密勒补偿电容,结合调零电阻补偿技术、集成三支路基准电
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基于0.18μm 1.8 V CMOS标准工艺,设计了一个低压、高速、高稳定性、高电源抑制比的集成运算放大器芯片。设计中,采用密勒补偿电容,结合调零电阻补偿技术、集成三支路基准电流源高输出阻抗电流分配电路及一种自偏置和预校准偏置电压源,有效地提高了系统的速度和带宽,并具有优良的电源抑制比。利用Cadence Spectre仿真器,对芯片版图进行后端仿真验证。当负载电阻为100 kΩ、负载电容为2 pF时,芯片功耗4 mW,单位增益带宽900 MHz,电源抑制比-100 dB,开环直流电压增益68 dB,相位裕度102°,建立时间4.5 ns,压摆率240 V/μs,输出摆幅0.116～1.6 V。仿真结果表明,该芯片可应用于中频、低频段的模拟电路系统,尤其适用于处理微弱信号的高性能电子系统。
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