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用封闭式电子回旋共振（MCECR）等离子体溅射的方法在硅（100）基片上沉积了碳氮膜（CNx），膜层厚度约80nm．采用Ar／N2等离子体溅射纯石墨靶，研究了基片偏压对CNx膜机械特性和微观结构的影响，详细分析了基片偏压对CNx膜性能影响的机理．实验结果表明，当基片偏压为＋30V时，CNx膜层性能良好，硬度约为31．48Gpa，摩擦系数约为0．14，磨损率为6．75×10^-15m^3／m，系数x接近于4／3．