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用封闭式电子回旋共振(MCECR)等离子体溅射的方法在硅(100)基片上沉积了碳氮膜(CNx),膜层厚度约80nm.采用Ar/N2等离子体溅射纯石墨靶,研究了基片偏压对CNx膜机械特性和微观结构的影响,详细分析了基片偏压对CNx膜性能影响的机理.实验结果表明,当基片偏压为+30V时,CNx膜层性能良好,硬度约为31.48Gpa,摩擦系数约为0.14,磨损率为6.75×10^-15m^3/m,系数x接近于4/3.