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以ZnO：Al2O3为靶材在石英玻璃衬底上射频磁控溅射制备多晶ZnO：Al（AZO）薄膜，通过XRD、AFM以及Hall效应、透射光谱等测试研究了RF溅射压强对薄膜结构、电学与光学性能的影响。分析表明：所制备的薄膜具有c轴择优取向，当压强为1．2Pa时薄膜的电阻率降至最低（2．7×10^-3Ω·cm）。薄膜在可见光区平均透射率高于90％，光学带隙均大于本征ZnO的禁带宽度。