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采用反应磁控溅射方法，在Si衬底上制备了不同表面预处理和不同后退火处理的HfO2栅介质MOS电容。测量了器件的C-V和I-V特性，并进行了高场应力实验。器件的界面特性和栅极漏电机理分析表明，界面态和氧化物陷阱是引起大的栅极漏电流的主要因素。采用新颖的O2＋CHCl3（TCE）表面预处理工艺，可以显著降低界面态和氧化物陷阱密度，从而大大减小栅极漏电流和SILC效应。