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本文介绍了等离子刻蚀和去胶对MOS、MNOS电容器和双板晶体管所产生的辐射损伤的激光退火，用连续CO2激光器从背面照射蕊片，可以明显地降低各种MIS结构中的固定电荷和界面陷阱，完全消除辐射损伤，使被损伤的器件特性得到恢复并有所改善，使集成电路成品率明显提高。
射频离子辐射损伤的激光退火
【摘 要】
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本文介绍了等离子刻蚀和去胶对MOS、MNOS电容器和双板晶体管所产生的辐射损伤的激光退火，用连续CO2激光器从背面照射蕊片，可以明显地降低各种MIS结构中的固定电荷和界面陷阱，完
【机 构】
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合肥工业大学
【出 处】
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激光杂志
【发表日期】
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1985年6期
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