GaAs FET高输出放大MMIC

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lidenglu1114
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GaAsFET高输出放大MMIC据日本《电子技术))1994年第6期报道,日本三菱电机公司开发了高效率的MMIC,用于模拟便携电话的发射系统。由GaAsFET两级放大器构成,在3.4V低压情况下,输出功率为31dBm(典型),效率达60%(典型),其... GaAsFET high-output amplification MMIC According to Japan’s "Electronic Technology) 1994 No. 6 reported that Japan’s Mitsubishi Electric Corporation has developed a highly efficient MMIC, used to simulate the launch system of mobile phones. Consists of GaAsFET two-stage amplifier, the output power of 31dBm (typical) at low voltage of 3.4V, efficiency of 60% (typical), its ...
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