【摘 要】
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采用Cu靶和Al靶直流共溅射法制备了p型透明导电Cu-Al-O薄膜。用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)仪、四探针测量仪、紫外-可见分光光度计对样品进行了表征。结果表明,对所
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采用Cu靶和Al靶直流共溅射法制备了p型透明导电Cu-Al-O薄膜。用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)仪、四探针测量仪、紫外-可见分光光度计对样品进行了表征。结果表明,对所制备的p型透明导电Cu-Al-O薄膜经高温退火后,其结晶质量和导电性能均有一定提高,薄膜在可见光区的平均透过率接近70%,禁带宽度约为3.75 eV。
A p-type transparent conductive Cu-Al-O thin film was prepared by DC co-sputtering with Cu target and Al target. The samples were characterized by atomic force microscopy (AFM), X - ray diffraction (XRD), four probe measuring instrument and UV - visible spectrophotometer. The results show that the prepared p-type transparent conductive Cu-Al-O thin films annealed at high temperature, the crystallization quality and electrical conductivity are improved, the average transmittance of the film in the visible region close to 70%, the forbidden band width of about 3.75 eV.
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