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用电化学方法制备多孔化率约６９％的多孔硅，在湿氧中氧化成多孔氧化硅，作热释电传感器的衬底，将用溶胶－凝胶法制备的钛酸铅（ＰＴ）纳米粉粒掺入聚偏氟乙烯／三氟乙烯共聚的中形成ＰＴ／Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）热释电得复合敏感膜。ＰＴ粉粒的掺入体系比为０．１２时，与成膜条件要同的Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）膜相比，，热释电优值提高２０％，探测优值提高３５％。多孔氧化硅结构降低了衬底的热导率和元件热容，使多孔硅衬底传