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在深亚微米MOS集成电路制造中,等离子体工艺已经成为主流工艺.而等离子体工艺引起的栅氧化层损伤也已经成为限制MOS器件成品率和长期可靠性的一个重要因素.文中主要讨论了等离子体工艺引起的充电损伤、边缘损伤和表面不平坦引起的电子遮蔽效应的主要机理,并在此基础上讨论了减小等离子体损伤的有效方法.
等离子体工艺引起的MOSFET栅氧化层损伤
【摘 要】
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在深亚微米MOS集成电路制造中,等离子体工艺已经成为主流工艺.而等离子体工艺引起的栅氧化层损伤也已经成为限制MOS器件成品率和长期可靠性的一个重要因素.文中主要讨论了等
【机 构】
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西安电子科技大学微电子所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2003年1期
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