论文部分内容阅读
采用弱外延生长(Weak Epitaxy Growth,WEG)的方法制备OTFTs,研究了不同衬底温度对诱导层p-6P生长形貌的影响,以及WEG-OTFTs器件特性与诱导层形貌的关系。另外,还研究了诱导层p-6P的厚度变化对WEG-OTFTs场效应迁移率的影响。研究发现随着p-6P厚度增加WEG-OTFTs的场效应迁移率是一个先上升后下降然后再上升再下降的过程。我们在诱导层p-6P的厚度2 nm,衬底温度180℃时得到了最大的OTFTs场效应迁移率1.03 cm2/Vs。