多栅GaAs MESFET开关

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:shall202
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论述多栅开关的结构和特点.开关设计中需要考虑的一个重要因素是提高开关功率处理能力的同时减小插损,多栅开关由于其特殊的结构,很好地解决了这一问题.采用多栅结构,设计的移动通讯用DPDT开关在DC-2 GHz:IL<0.75 dB,Iso>13 dB,VSWR<<1.5,P-1>10 W.开关芯片面积小、成品率高、封装成本低,适宜批量生产.并已在手机上试装成功.
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