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采用MOCVD外延交替生长了压应变、张应变InxGa1-xAsyP1-y多量子阱材料,对应1.3 μm波段.平均应变量-0.16%,周期11 nm.采用三个周期外延材料的芯片制作的LD,实现了TE和TM双偏振模激射.
混合应变多量子阱有源材料及其增益偏振特性
【摘 要】
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采用MOCVD外延交替生长了压应变、张应变InxGa1-xAsyP1-y多量子阱材料,对应1.3 μm波段.平均应变量-0.16%,周期11 nm.采用三个周期外延材料的芯片制作的LD,实现了TE和TM双偏
【机 构】
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深圳大学光电子学研究所
【出 处】
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光子学报
【发表日期】
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2003年12期
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