【摘 要】
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用射频磁控溅射法在不同温度的Si（001）基片上制备了La0.67Ca0.33MnO3薄膜与银掺杂量为1（mol）%的La0.67Ca0.33MnO3-Ag薄膜,并用四探针法测量其电阻随温度的变化关系。发现由于银以
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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用射频磁控溅射法在不同温度的Si（001）基片上制备了La0.67Ca0.33MnO3薄膜与银掺杂量为1（mol）%的La0.67Ca0.33MnO3-Ag薄膜,并用四探针法测量其电阻随温度的变化关系。发现由于银以金属形式存在于LCMO薄膜晶界处,使晶界处的电传导特性得以改善,结晶温度降低至773 K以下,晶粒内双交换作用在晶界的传导加强,薄膜金属-绝缘转变温度升高到261 K,并在高温处薄膜的电阻-温度曲线有附加峰的出现。
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