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采用湿法刻蚀、电子束蒸发、真空高温退火方法，成功制备出钼硅化物薄膜刀口型尖锥场发射阵列，并对涂敷钼硅化物薄膜刀口型尖锥阵列和刀口型硅尖锥阵列的电子发射性能进行了测试比较。结果表明，在刀口型硅尖锥阵列上制备钼硅化物薄膜，能够提高场发射电流密度和发射稳定性。该结论对进一步研究金属硅化物在改善场发射性能方面有着重要的意义。