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采用变分方法研究GaAs／AlxGa1-xAs有限抛物量子阱中类氢杂质态能量和结合能随外电场和阱宽的变化关系,在计算中考虑了电子有效带质量和介电常数随空间坐标（或合金组分）的变化因素。结果表明，外电场对类氢杂质态能量和结合能均有明显的影响，并且这些影响随着阱宽的增大而增大，电子有效带质量和介电常数随空间坐标的变化效应使得类氢杂质态基态能量减小，结合能增大，此效应随着阱宽的增大明显变小。