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在45和32nm节点．对刻蚀而言，传统的挑战如对轮廓的严格控制、选择性、CD，均匀性和缺陷将伴随着新材料的使用，光刻的限制，新的器件结构和集成方案的引入将变得更加严峻。
45和32nm面临新的刻蚀挑战
【摘 要】
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在45和32nm节点．对刻蚀而言，传统的挑战如对轮廓的严格控制、选择性、CD，均匀性和缺陷将伴随着新材料的使用，光刻的限制，新的器件结构和集成方案的引入将变得更加严峻。
【机 构】
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《集成电路应用》主编
【出 处】
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集成电路应用
【发表日期】
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2007年4期
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