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热壁LPCVD制备二氧化硅、氮化硅时系统所产生的SiO_2粉尘、氯化铵粉末以及排出的废气对系统中使用的真空泵将产生有害的影响。本文介绍了热壁LPCVD多晶硅膜时操作步骤、工艺参数的选择和操作中应注意的安全问题等。并讨论了LPCVD法制备氮化硅膜时,所用气体SiHCl_3的优缺点以及LPCVD系统中真空泵的防护措施。