【摘 要】
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2006年5月30日，代工厂商中芯国际集成电路制造有限公司（中芯国际）和ARM公司共同宣布；中芯国际采用ARM Artisan物理IP系列产品中的ARM Metro低功耗／高密度产品和Advantage高性能产
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2006年5月30日，代工厂商中芯国际集成电路制造有限公司（中芯国际）和ARM公司共同宣布；中芯国际采用ARM Artisan物理IP系列产品中的ARM Metro低功耗／高密度产品和Advantage高性能产品，用于90纳米LL（低渗漏）和G（主流）处理工艺。该协议通过在ARM网站免费下载的方式进一步增进了两家公司在推动前沿设计和制造方案方面的协作和承诺。
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