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AIGaN/GaN HEMT高温特性的研究进展
AIGaN/GaN HEMT高温特性的研究进展
来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:bh2068285
【摘 要】
:
回顾了在高温条件下AIGaN/GaN HEMT器件特性的研究进展。发现2DEG的高温特性是影响器件高温性能的根本内在因素,且外延材料的缺陷、衬底及其器件的封装形式也影响器件的高温特
【作 者】
:
朱修殿
吕长志
鲁小妹
张小玲
张浩
徐立国
【机 构】
:
北京工业大学电子信息与控制工程学院
【出 处】
:
半导体技术
【发表日期】
:
2006年1期
【关键词】
:
AIGAN/GAN
高电子迁移率晶体管
高温特性
二维电子气
AIGaN/GaN
HEMT
high temperature characteristics
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回顾了在高温条件下AIGaN/GaN HEMT器件特性的研究进展。发现2DEG的高温特性是影响器件高温性能的根本内在因素,且外延材料的缺陷、衬底及其器件的封装形式也影响器件的高温特性。最后总结了适合高温下工作的AIGaN/GaN HEMT的改进方法。
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