【摘 要】
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本文对微电子固体薄膜结构，以及影响薄膜电阻导电性和稳定性的因素进行了研究和分析。实验数据和电路应用实例表明：Cr－Si薄膜电阻是一种良好的材料，它具有高电阻率、低温度漂移系
【机 构】
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电子工业部东北微电子研究所!沈阳110032,电子工业部东北微电子研究所!沈阳110032,电子工业部东北微电子研究所!沈阳110032
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本文对微电子固体薄膜结构，以及影响薄膜电阻导电性和稳定性的因素进行了研究和分析。实验数据和电路应用实例表明：Cr－Si薄膜电阻是一种良好的材料，它具有高电阻率、低温度漂移系数、高稳定性、无寄生效应、高匹配精度等特性。
In this paper, the structure of microelectronic solid film, as well as the factors affecting the electrical conductivity and stability of the film resistance were studied and analyzed. Experimental data and circuit examples show that: Cr-Si film resistance is a good material, it has high resistivity, low temperature drift coefficient, high stability, no parasitics, high matching accuracy and so on.
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