【摘 要】
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在15K测量了不同尺寸分布的In0.55A10.45As/Al0.5Ga05As量子点的静压光致发光,静压范围为0-1.3GPa.常压下观察到三个发光峰,分别来源于不同尺寸的量子点(横向直径分别为26、5
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所材料科学实验室,北京,100083
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在15K测量了不同尺寸分布的In0.55A10.45As/Al0.5Ga05As量子点的静压光致发光,静压范围为0-1.3GPa.常压下观察到三个发光峰,分别来源于不同尺寸的量子点(横向直径分别为26、52和62am)的发光.它们的压力系数分别为82、94和98meV/Gpa,都小于In0.55Al0.45As体材料带边的压力系数,特别是尺寸为26nm的小量子点比In0.55Al0.45As体材料带边小17%,并且压力系数随量子点尺寸的变小而减小.理论计算表明有效质量的增大和Γ-X混合是量子点压力系数变小的主要原因,并得到横向直径为26和52nm的小量子点的Γ-X混合势为15和10meV.根据实验还确定In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As量子点系统X能带具有Ⅱ类结构,并且估算出价带不连续量为0.15±0.02.
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