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研究了同步对称双栅氧化铟镓锌薄膜晶体管（InGaZnO thin film transistors，IGZOTFTs）的沟道电势，利用表面电势边界方程联合LambertW函数推导得到了器件沟道电势的解析模型．该模型考虑了IGz0薄膜中存在深能态及带尾态等缺陷态密度，能够同时精确地描述器件在亚阈区（sub．threshold）与开启区（above thresholdl的电势分布．基于所提出的双栅IGZOTFT模型，讨论了不同厚度的栅介质层和有源层时，栅一源电压对双栅IGZOTFT的表面势以及中心势的调制效应