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研究了不同剂量率下PMOS剂量计阈值电压的响应。在VTH偏置下，观察了剂量率对PMOS剂量计辐射响应线性度和灵敏度的影响规律及其退火特性。试验结果表明：随着剂量率降低，n值趋近于1，表现出较好的线性度，响应灵敏度也增加。分析认为，PMOS剂量计有明显的低剂量率辐射敏感增强效应（ELDRS），对其损伤机理作了进一步的讨论。