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在含1.0×10-3mol·L-1杯[4]芳烃的0.1mol·L-1四丁基高氯酸铵溶液中,在-0.2~-0.8V(vs.Ag/AgCl)电位区间进行扫描,在玻碳电极表面电沉积一层杯[4]芳烃膜,从而制得杯[4]芳烃修饰玻碳电极。采用交流阻抗法和原子力显微镜对电极的表面性能进行了表征,采用循环伏安法对其电化学性能进行研究。试验发现:汞在杯E43芳烃修饰玻碳电极上出现一个明显氧化峰,氧化峰电位为0.28V(vs.Ag/AgCl)。在优化的试验条件下,Hg2+浓度在2.0×