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本文着重研究了Si3N4/SiO2,Ta2O5/SiO2,Ta2O5/Si3N4/SiO2,Ta2O5/NAS/Si3N4/SiO2等多层介质结构H+-ISF ET传感器的特性,给出了实验结果,并做了必要的分析讲座.
多层结构ISFET传感器特性的研究
【摘 要】
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本文着重研究了Si3N4/SiO2,Ta2O5/SiO2,Ta2O5/Si3N4/SiO2,Ta2O5/NAS/Si3N4/SiO2等多层介质结构H+-ISF ET传感器的特性,给出了实验结果,并做了必要的分析讲座.
【机 构】
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南开大学电子科学系
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1990年1期
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