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期刊论文
多层结构ISFET传感器特性的研究
多层结构ISFET传感器特性的研究
来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ghostraider
【摘 要】
:
本文着重研究了Si3N4/SiO2,Ta2O5/SiO2,Ta2O5/Si3N4/SiO2,Ta2O5/NAS/Si3N4/SiO2等多层介质结构H+-ISF ET传感器的特性,给出了实验结果,并做了必要的分析讲座.
【作 者】
:
祁增芳
余剑平
【机 构】
:
南开大学电子科学系
【出 处】
:
半导体技术
【发表日期】
:
1990年1期
【关键词】
:
多层结构
ISFET
传感器
场效应晶体管
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本文着重研究了Si3N4/SiO2,Ta2O5/SiO2,Ta2O5/Si3N4/SiO2,Ta2O5/NAS/Si3N4/SiO2等多层介质结构H+-ISF ET传感器的特性,给出了实验结果,并做了必要的分析讲座.
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