【摘 要】
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首次报道了用恒电位电解法将铒、钇共掺入多孔硅(porous silicon,PS)中,经高温退火处理后,观察到了在近红外区(1.54 μm)室温下较强的光致发光(photoluminescence,PL),并与掺
【机 构】
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中山大学,香港浸会大学物理系,香港浸会大学物理系,香港浸会大学化学系
【基金项目】
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香港研究资助局资助项目，广东省自然科学基金，国家重点实验室基金
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首次报道了用恒电位电解法将铒、钇共掺入多孔硅(porous silicon,PS)中,经高温退火处理后,观察到了在近红外区(1.54 μm)室温下较强的光致发光(photoluminescence,PL),并与掺铒多孔硅(erbim-doped porous silicon,PS:Er)做了比较,发现钇的共掺入对掺铒多孔硅体系1.54μm发射起了增强作用.研究了铒、钇共掺杂多孔硅(erbium and yttrium co-doped poroussilicon,PS:Er,Y)光致发光强度随温度的变化,
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