【摘 要】
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Analog Devices公司(位于美国马萨诸塞州Norwood)开发成功一种集高电压硅芯片、亚微米CMOS和互补双极型技术于一身的模拟芯片制造工艺,利用该工艺可生产出能够承受高达30V电
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Analog Devices公司(位于美国马萨诸塞州Norwood)开发成功一种集高电压硅芯片、亚微米CMOS和互补双极型技术于一身的模拟芯片制造工艺,利用该工艺可生产出能够承受高达30V电源电压的元件——从而实现了性能的突破性提升,并降低了系统设计成本和功耗(功耗降幅高达85%),外壳封装
Analog Devices Corporation (Norwood, Mass., USA) has successfully developed an analog chip manufacturing process that combines high-voltage silicon, sub-micron CMOS and complementary bipolar technology to produce a chip that can withstand supply voltages up to 30V Components - enabling breakthrough performance improvements and reducing system design costs and power consumption (up to 85% reduction in power consumption), case-in-package
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