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测量了77～300K 范围内 GaAs-AlxGa1-xAs DH 激光器的伏安特性。典型的正向特性曲线可用下式描写:I=I1 I2=Is1exp（AV） Is1exp（q/nkT V）A 和 n 是只与温度有微弱关系的参数。
GaAs-AlxGa1-xAs双异质结激光器的伏安特性
【摘 要】
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测量了77～300K 范围内 GaAs-AlxGa1-xAs DH 激光器的伏安特性。典型的正向特性曲线可用下式描写:I=I1 I2=Is1exp（AV） Is1exp（q/nkT V）A 和 n 是只与温度有微弱关系的参数。
【机 构】
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北京大学物理系
【出 处】
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中国激光
【发表日期】
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1980年7期
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