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以Gd_(2)O_(3)和正硅酸乙酯(TEOS)为原材料,采用并流化学共沉淀法合成Gd_(2)SiO_(5)粉体材料。研究Gd_(2)SiO_(5)前驱体的热响应特征、Gd_(2)SiO_(5)粉体的物相组成和微观形貌,并对Gd_(2)SiO_(5)粉体的合成机理进行初步探讨。结果表明:前驱体的低Gd/Si摩尔比和反应体系的高pH值会导致Gd_(2)SiO_(5)粉体生成Gd_(9.33)(SiO_(4))_(6)O_(2)杂质相,相反则会导致生成Gd2O3杂质相。当Gd/Si摩尔比为20∶11、pH值为