【摘 要】
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本文采用水热法，在温度430℃，填充度35％，矿化剂为3mol／LKOH，前驱物为添加适量NiCl2·6H2O的Zn（OH）2，反应时间24h，合成了Zn1-xNixO稀磁半导体晶体。当在Zn（OH）2中添加一定量的NiCl2
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本文采用水热法，在温度430℃，填充度35％，矿化剂为3mol／LKOH，前驱物为添加适量NiCl2·6H2O的Zn（OH）2，反应时间24h，合成了Zn1-xNixO稀磁半导体晶体。当在Zn（OH）2中添加一定量的NiCl2·6H2O为前驱物，水热反应产物为掺杂Ni的多种形态ZnO混合晶体，对其个体较大的晶体中进行电子探针测量表明，前驱物中的添加量和晶体中实际掺入量有很大的差异，只有少量的Ni离子掺入ZnO，最大Ni原子分数含量为0．62％。采用超导量子干涉磁强计测量材料的磁性，发现
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