论文部分内容阅读
研究了Ｎｂ／Ｃ６０／Ｐ型Ｓｉ结构的电学特性，Ｉ－Ｖ结果表明这一结构具有强整流效应，这意味着在Ｃ６０／Ｓｉ界面附近存在着一个势垒，或称Ｃ６０／Ｓｉ异质结，高频Ｃ－Ｖ结果表明在Ｃ６０层中存有约１０＾１２～１０＾１３ｃｍ＾－２的可动负离子，这些离子的桦弛温度高于３５０Ｋ，冻结温度低下２６０Ｋ，以及在３００～３７０Ｋ的测量温度范围内，Ｃ６０膜的相对介电常数与温度无关，即εＣ６０＝３．７±０．１。