Small-signal modeling and parameter extraction method for a multigate GaAs pHEMT switch

来源 :半导体学报:英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：fzx0126

【摘要】

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This paper presents an accurate small-signal model for multi-gate GaAs pHEMTs in switching-mode.The extraction method for the proposed model is developed.A 2-ga

【作者】

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Lin Luo Jun Liu Guofang Wang Y

【机构】

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KeyLaboratoryofRFCircuitsandSystems

【出处】

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半导体学报:英文版

【发表日期】

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2020年3期

【关键词】

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GAAS pHEMTs SWITCH small-signal MODEL PARAMETER EXTRACTION

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This paper presents an accurate small-signal model for multi-gate GaAs pHEMTs in switching-mode.The extraction method for the proposed model is developed.A 2-gate switch structure is fabricated on a commercial 0.5μm AlGaAs/GaAs pHEMT technology to verify

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