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采用密度泛函（DFT）B3LYP方法优化了聚噻吩并[3，4-c]呋喃的单体和低聚物的电子结构，聚合物采用PBC方法和LSDA方法计算了性质特征，全部的优化都采用6-31G^＊基组计算．找出了单体、低聚体和聚合物电子结构的关系，并对其能带结构与态密度进行了分析与探讨．研究表明，并环分子的导电性能比单环分子更好．其能隙仅有0．19eV，可以作为潜在的导电聚合物材料．