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本文提出并实现了一种用于测量SRAM时序参数的延时链电路,在SMIC 130nm工艺下精度可以达到4.9ps.该延时链电路包括可调链路和固定链路,可调链路由可编程粗调单元和精调单元组成,固定链路由固定单元组成.并将待测SRAM和测量电路集成入SOC系统中,从而实现SRAM的建立、保持和读写时间切换测量的功能.