【摘 要】
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之前推动半导体工业进步是两个轮子,一个是特征尺寸不断地缩小,另一个是硅片直径扩大,而且总是以缩小尺寸为优先.但是,CMOS技术中的SiO2基栅介质在经过近40年的不断等比缩小
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之前推动半导体工业进步是两个轮子,一个是特征尺寸不断地缩小,另一个是硅片直径扩大,而且总是以缩小尺寸为优先.但是,CMOS技术中的SiO2基栅介质在经过近40年的不断等比缩小之后,到2002年左右终于达到了极限,即只有1.2纳米,5个硅原子厚度.如果再继续缩小,将导致漏电流迅速增大.这也就是为什么英特尔之前一直推崇CPU以主频高低来分挡,而至奔腾4主频达4GHz后放弃的原因.所以尽管工业界对于45纳米是否一定要采用高k介质及金属栅工艺,尚未完全统一认识,但是下一步走材料创新是必由之路己达共识.……
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