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介绍氧化钨基永久性的电可重编程的可变电阻器作用于电子神经网络的模拟突触记忆联接器。该器件具有类晶体管的多层薄膜器件结构,它是依次由直流溅射和电子束蒸发工艺沉积到一个绝缘衬底,即衬底/Ni/WO3/SiO/Cr2O3/SiO/Al。用电压控制H^+离子可逆地内插和去插到WO3薄膜来调制电阻。