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介绍氧化钨基永久性的电可重编程的可变电阻器作用于电子神经网络的模拟突触记忆联接器。该器件具有类晶体管的多层薄膜器件结构，它是依次由直流溅射和电子束蒸发工艺沉积到一个绝缘衬底，即衬底／Ｎｉ／ＷＯ３／ＳｉＯ／Ｃｒ２Ｏ３／ＳｉＯ／Ａｌ。用电压控制Ｈ＾＋离子可逆地内插和去插到ＷＯ３薄膜来调制电阻。
固态薄膜可重编程的模拟可变电阻存储器的制造和性能
【摘 要】
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介绍氧化钨基永久性的电可重编程的可变电阻器作用于电子神经网络的模拟突触记忆联接器。该器件具有类晶体管的多层薄膜器件结构，它是依次由直流溅射和电子束蒸发工艺沉积到一
【机 构】
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国家传感技术重点实验室,中国科学院电子学研究所国家传感?
【出 处】
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真空科学与技术
【发表日期】
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1998年4期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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