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采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的厚Ge材料，材料的穿透位错密度为1×10^-2cm。原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0．33nm，卢瑟福背散射谱表明Ge的沟道产额低达3．9％，透射电镜分析则表明应变的弛豫主要是通过在Si与Ge的界面处形成失配位错来实现的。
Si衬底上Ge材料的UHVCVD生长
【摘 要】
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采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的厚Ge材料，材料的穿透位错密度为1×10^-2cm。原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0．33nm，卢瑟福背散射谱表明Ge的
【机 构】
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中国科学院半导体研究所
【出 处】
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材料科学与工程学报
【发表日期】
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2009年1期
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