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以高分子聚（2-甲氧基-5-（2-乙基-已氧基）-1，4-苯撑乙烯撑）（MEH—PPV）为半导体有源层、Ta2O5为绝缘层，制备了有机薄膜晶体管（OTFT），研究了氢热处理Ta2O5绝缘层对OTFT性能的影响，并对该器件性能改善的原因进行了分析．结果表明，经氢热处理的Ta2O5绝缘层使MEH—PPV的场效应迁移率提高了-个数量级，从1．24×10^-5cm^2／（V·s）提高到2．15×10^-4cm^2／（V·s），阈值电压有所降低。