δ掺杂AlGaAs／GaAsHEMT的二维量子模型

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：vinejue

【摘要】

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本文我们首次建立了δ掺杂ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）的二维量子模型，这种模型考虑了ＨＥＭＴ器件沟道中二维电子气的量子特性，根据这个模型，我们应用二维数值模拟方法和自洽求解薛定谔２方程和泊

【作者】

：

张兴宏杨玉芬

【机构】

：

中国科学院半导体研究所,100083

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

1997年9期

【关键词】

：

掺杂砷化镓镓铝砷化合物二维量子模型 Chemical vapor deposition Doping (additives) Heterojunction

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本文我们首次建立了δ掺杂ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）的二维量子模型，这种模型考虑了ＨＥＭＴ器件沟道中二维电子气的量子特性，根据这个模型，我们应用二维数值模拟方法和自洽求解薛定谔２方程和泊松方程获得了器件沟道中的二电子浓度。同时也得到器件沟道中的横向电场分布和横向电流密度，模拟结果表明二维电子气主要分布在异质结ＧａＡｓ一侧量子阱中，详细讨论了不同栅压和不同漏压下ＨＥＭＴ沟道中

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