【摘 要】
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以高纯Hf、Bi、Sb和Te为原料,在1000℃下,经10h氩气保护熔融状态下反应,冷却球磨制粉,再在氮气保护下进行热压（450℃,20MPa）,成功制备出一系列不同Hf掺杂量的Hf2x（Bi,Sb）2-2xTe3
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以高纯Hf、Bi、Sb和Te为原料,在1000℃下,经10h氩气保护熔融状态下反应,冷却球磨制粉,再在氮气保护下进行热压（450℃,20MPa）,成功制备出一系列不同Hf掺杂量的Hf2x（Bi,Sb）2-2xTe3化合物.X射线粉末衍射Rietveld分析说明,Hf在结构中占据6c晶位,以替代（Bi,Sb）的形式进入晶格.Hf掺杂引起BiSbTe3的Seebeck系数增大,电导率降低.功率因子在375K时达最大值526μW/mK^2.
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