论文部分内容阅读
以干燥的B粉和Mg粉为原料，采用分步反应法制备了SiC（40～45μm）掺杂的MgBe／Nb／Cu超导线材。通过X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）研究了在650℃热处理温度下不同掺杂量对所制备样品的相组成、微观结构的影响。采用标准四引线法测定了样品的电阻温度曲线，结果表明，当该工艺第二步热处理温度为650℃时，反应不完全，应适当升高温度；同时高SiC掺杂量有利于在MgB2线材中引入更多B位C掺杂，表现为Tc略有降低，从而提高了其磁通钉扎特性。