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对GeH4与HX形成的二氢键复合物的结构特征及本质进行了探讨．在MP2／6-311＋＋C（3d，3p）水平优化、频率验证得到复合物的分子结构，通过分子的几何参数及电子密度拓扑分析，确认GeH4与卤化氢已形成了二氢键复合物．MP2／6．311＋＋G（3d，3p）水平下进行BSSE校正后的结合能为3．281列4．502kJ·mol^-1．自然键轨道分析表明，静电作用在二氢键中起一定作用．对H（5）-X键，分子间超共轭作用与静电吸引作用产生的红移效应超过重极化和重杂化产生的蓝移效应导致H（5）-X键红