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薄膜硅／晶体硅异质结（HIT）太阳电池是界面器件，其界面性质直接决定器件的性能。本文采用简化的RCA清洗并结合氧化膜保护工艺对硅片进行前期处理；采用等离子体增强化学气相沉积技术（PECVD）制备薄膜硅／晶体硅异质结；通过光发射谱（OES）研究了PECVD在不同的匹配速度下起辉基元浓度随时间的变化，证实了基元浓度的不稳定对电池界面性质有一定的影响；分析了退火工艺对异质结的界面特性的影响，在10-4Pa量级的背景真空和200℃下进行退火，可显著提高电池开路电压Voc和填充因子，F。本文结果表明：硅片前期处理的