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结合多项用于深亚微米集成电路的新技术，提出了用于数GHz射频集成电路的SOI nMOSFET器件结构和制造工艺·经过半导体工艺模拟软件Tsuprem4仿真和优化，给出了主要的工艺步骤和详细的工艺条件．制作了0.25μm SOI射频nMOSFET器件，结构和工艺参数同仿真结果一致，测试获得了优良的或可接受的直流及射频性能。