热退火对分子束外延生长的高纯GaAs薄膜中深能级的影响

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wangcb00

【摘要】

：

用深能级瞬态谱(DLTS)研究了分子束外延生长的高纯GaAs薄膜中的深能级.带金电极的高纯GaAs薄膜经不同温度的热退火,其DLTS峰谱的位置和幅度均发生变化.这是由于在热退火中金

【作者】

：

徐鸿达 T.G.Andersson

【机构】

：

中国科学院半导体研究所,DEPT.OFPHYSICS.CHALMERSUNIVERSITYOFTECHNOLOGY

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

1989年12期

【关键词】

：

分子束外延 GAAS 薄膜深能级热退火 MBE GaAs Thin film Deep level Thermal annealing

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用深能级瞬态谱(DLTS)研究了分子束外延生长的高纯GaAs薄膜中的深能级.带金电极的高纯GaAs薄膜经不同温度的热退火,其DLTS峰谱的位置和幅度均发生变化.这是由于在热退火中金电极与GaAs反应,从而出现各种各样的DLTS峰谱.来用器件制造的台面腐蚀工艺去除反应物后的DLTS峰谱退化为一个单峰谱.本文结合伏安特性的测量结果对DLTS峰谱的变化进行了分析和讨论.

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