一种高效率F类功率放大器芯片的设计

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介绍了一种简单的具有谐波调谐功能的输出匹配网络,可实现2次谐波短路和3次谐波开路。利用该输出匹配网络,基于InGaP/GaAs HBT工艺,设计了一个工作于2GHz的高效率F类功率放大器,并通过搭载基板实现小型化芯片的研制。芯片测试结果表明,该功率放大器的小信号增益为35dB,1dB压缩点为34dBm,饱和输出功率为35.3dBm,效率为57%,并具有较好的谐波抑制性能。 A simple output matching network with harmonic tuning is introduced, which can realize the second harmonic short circuit and the third harmonic open circuit. Based on the InGaP / GaAs HBT process, a high efficiency class-F power amplifier operating at 2GHz is designed by using the output matching network. The miniaturization chip is developed by mounting the substrate. The chip test results show that the small signal gain of the power amplifier is 35dB, the 1dB compression point is 34dBm, the saturated output power is 35.3dBm, the efficiency is 57%, and has good harmonic suppression performance.
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