【摘 要】
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目的:观察外加直流电场对人晶状体上皮细胞（lens epithelial cell,LEC）移行和增殖活力的影响。方法:将培养的人晶状体上皮细胞系HLE-B3细胞暴露于电场强度为100、200、400mV/mm
【机 构】
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第四军医大学唐都医院眼科,第四军医大学唐都医院胸外科
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目的:观察外加直流电场对人晶状体上皮细胞（lens epithelial cell,LEC）移行和增殖活力的影响。方法:将培养的人晶状体上皮细胞系HLE-B3细胞暴露于电场强度为100、200、400mV/mm的直流电场中,未受电场暴露的细胞作为正常对照组。倒置显微镜观察并记录电场暴露前及暴露后的细胞图像,并计数细胞数目;流式细胞仪检测电场暴露前及暴露24h后的细胞凋亡率和细胞周期。结果:强度为400mV/mm的电场暴露3h后,HLE-B3细胞呈现朝向电场阴极一侧的定向移行。电场持续暴露后,HLE-B3细胞数逐渐减少,在电场作用6h和12h时分别较正常对照组减少12.6%和18.6%,差异均具有统计学意义（P<0.05）。100、200、400mV/mm电场暴露24h后,HLE-B3细胞凋亡率分别为（9.2±1.9）%、（23.9±2.6）%、（54±2.5）%,与正常对照组相比明显增加（P<0.05）;细胞周期检测结果显示,HLE-B3细胞进入G2/M期的比例随电场强度增加逐渐上升,其中200mV/mm和400mV/mm电场中G（2）/M期细胞比例分别为（13.8±2.2）%和（15.6±2.5）%,与正常对照组相比差异具有统计学意义（P<0.05）。结论:外加直流电场可诱导HLE-B3细胞的定向移行,随电场作用时间的延长和电场强度增加,细胞生长受到抑制,同时伴随细胞凋亡增加和细胞周期G2/M期阻滞。
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