【摘 要】
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用单体4,4′-二胺基二苯醚(ODA)和均苯四甲酸二酐(PMDA)添加纳米SiO2,在溶剂N,N-二甲基乙酰胺(DMAC)中,采用原位聚合法合成SiO2/聚酰亚胺(PI)复合薄膜。用氢氟酸刻蚀SiO2纳米
【机 构】
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北京化工大学化工资源有效利用国家重点实验室,北京科技大学化学与生物工程学院高分子科学与工程系,北京服装学院基础部
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用单体4,4′-二胺基二苯醚(ODA)和均苯四甲酸二酐(PMDA)添加纳米SiO2,在溶剂N,N-二甲基乙酰胺(DMAC)中,采用原位聚合法合成SiO2/聚酰亚胺(PI)复合薄膜。用氢氟酸刻蚀SiO2纳米粒子,引入纳米微孔,形成含有微孔的PI薄膜。造孔剂含量为15%时,薄膜的介电常数从纯聚酰亚胺的3.54降低至3.05(1kHz)。用透射电镜表征微孔结构,分析了微孔孔径和造孔剂(SiO2)含量对薄膜介电常数、耐热性、疏水性和机械强度等性质的影响。
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