面向5GHz无线应用的单片InGaP／GaAsHBT压控振荡器

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hades173053

【摘要】

：

介绍了一种由商用InGaP／GaAs异质结双极晶体管工艺制成、基于负阻原理的单片压控振荡器，此电路定位于5GHz频段下的无线应用．在实际使用中，除了旁路和去耦电容外，无需外接其他外部

【作者】

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陈立强张健李志强陈普锋张海英

【机构】

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中国科学院微电子研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2007年6期

【关键词】

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压控振荡器单片微波集成电路无线通信 InGaP/GaAs异质结双极晶体管 VCO MMIC wireless communication InGaP/

【基金项目】

：

国家自然科学基金（批准号：60276021）和国家重点基础研究发展规划（批准号：G2002CB311901）资助项目

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介绍了一种由商用InGaP／GaAs异质结双极晶体管工艺制成、基于负阻原理的单片压控振荡器，此电路定位于5GHz频段下的无线应用．在实际使用中，除了旁路和去耦电容外，无需外接其他外部元件。测试得到的输出频率范围超过300MHz，为4.17～4.56GHz，与仿真结果非常吻合；相位噪声为-112dBc／Hz@1MHz；在3.3V电源电压下，其核心部分的直流功耗为15.5mW，输出功率为0～2dBm。为了与其他振荡器比较，还通过计算得到了相位噪声优值，约为-173.2dBc／Hz。同时，还讨论了负阻振荡器的原

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